【英文标准名称】:StandardTestMethodforInterstitialAtomicOxygenContentofSiliconbyInfraredAbsorptionwithShortBaseline
【原文标准名称】:用短基线红外线吸收法测定硅中填隙原子氧含量的标准试验方法
【标准号】:ASTMF1188-2002
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:2002
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:硅;分析;含氧量;红外设备;试验
【英文主题词】:oxygencontent;testing;infraredplants;analysis;silicon
【摘要】:
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:9P;A4
【正文语种】:英语
基本信息
| 标准名称： | 半导体分立器件外形尺寸 |
| 英文名称： | Dimensions of outlines for semiconductor discrete devices |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术 >>
半导体分立器件 >>
半导体三极管 |
| ICS分类： |
电子学 >>
半导体器件
|
| 替代情况： | 替代SJ 139-1981 SJ 206-1981 |
| 发布部门： | 国家标准局 |
| 发布日期： | 1987-03-21 |
| 实施日期： | 1987-11-01 |
| 首发日期： | 1987-03-27 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 主管部门： | 信息产业部（电子） |
| 归口单位： | 全国半导体器件标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 电子部标准化所 |
| 出版日期： | 1987-11-01 |
| 页数： | 【胶订-大印张】72页 |
适用范围
本标准适用于半导体分立器件的外形尺寸。
前言
没有内容
目录
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引用标准
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所属分类： 电子元器件与信息技术 半导体分立器件 半导体三极管 电子学 半导体器件
【英文标准名称】:Metalliccoatingsonnonmetallicbasismaterials-Measurementofcoatingthickness-Microresistivitymethod;GermanversionEN14571:2005
【原文标准名称】:非金属基底材料上的金属覆层.测量覆层厚度.微电阻率法
【标准号】:EN14571-2005
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:2005-07
【实施或试行日期】:
【发布单位】:欧洲标准学会(EN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:印制电路板;电性质和电现象;测量仪器;电阻测量;覆层厚度;无损;校正;表面粗糙度;不导电的;电阻器;层厚测量;基底材料;试验;方法;测量;表面;覆层;精密度;规范(验收);铜;金属材料;银
【英文主题词】:Basematerials;Calibration;Coatingthickness;Coatings;Copper;Electricalpropertiesandphenomena;Layerthicknessmeasurement;Measurement;Measuringinstruments;Metallicmaterials;Methods;Nonconducting;Non-destructive;Precision;Printed-circuitboards;Resistancemeasurement;Resistors;Silver;Specification(approval);Surfaceroughness;Surfaces;Testing
【摘要】:
【中国标准分类号】:A29
【国际标准分类号】:17_040_20;25_220_40
【页数】:14P.;A4
【正文语种】:英语